導(dǎo)體退火要遵循三個(gè)原則：退火溫度、退火時(shí)間、裝盤(pán)量。
導(dǎo)體退火溫度：退火溫度要高于完全再結(jié)晶溫度，但低于晶粒過(guò)分長(zhǎng)大的溫度。
導(dǎo)體退火時(shí)間：在保證內(nèi)外部導(dǎo)體單絲都充分獲得完全再結(jié)晶的條件下，盡量取時(shí)間的下限，以提高生產(chǎn)效率和降低電能消耗。
裝盤(pán)量：導(dǎo)體裝盤(pán)量的大小對(duì)導(dǎo)體退火后的性能有直接影響，盡量選擇裝盤(pán)量相差不多的退火處理，盡量避免白天退火，裝爐量一次裝滿。
所謂導(dǎo)體退火，即往半導(dǎo)體中注入雜質(zhì)離子時(shí)，高能量的入射離子會(huì)與半導(dǎo)體晶格上的原子碰撞，使一些晶格原子發(fā)生位移，結(jié)果造成大量的空位，將使得注入?yún)^(qū)中的原子排列混亂或者變成為非晶區(qū)，所以在離子注入以后必須把半導(dǎo)體放在一定的溫度下進(jìn)行退火，以恢復(fù)晶體的結(jié)構(gòu)和消除缺陷。同時(shí)，退火還有激活施主和受主雜質(zhì)的功能，即把有些處于間隙位置的雜質(zhì)原子通過(guò)退火而讓它們進(jìn)入替代位置
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